Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-ETH3007T-N3

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Artikelnummer:
VS-ETH3007T-N3
Hersteller:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 650V 30A TO220AC.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
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Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-ETH3007T-N3 Produkteigenschaften

Artikelnummer : VS-ETH3007T-N3
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : DIODE GEN PURP 650V 30A TO220AC
Serie : FRED Pt®
Teilestatus : Obsolete
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 650V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 30A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 2.1V @ 30A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 37ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 30µA @ 650V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-220-2
Supplier Device Package : TO-220AC
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 175°C

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