Infineon Technologies - IRFL4315PBF

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Artikelnummer:
IRFL4315PBF
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
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Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFL4315PBF Produkteigenschaften

Artikelnummer : IRFL4315PBF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Discontinued at Digi-Key
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 150V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 185 mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 19nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 420pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.8W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SOT-223
Paket / fall : TO-261-4, TO-261AA

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