Beschreibung :
MOSFET 4N-CH 100V 10A 12SIP
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
80 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1630pF @ 10V
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
12-SIP w/fin