BSM180C12P2E202 Preise (USD) [164Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- BSM180C12P2E202
- Hersteller:
- Rohm Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- BSM180C12P2E202 IS A SIC SILICO.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Programmierbare Einheit, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - IGBTs - Arrays and Transistoren - Bipolar (BJT) - RF ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Rohm Semiconductor BSM180C12P2E202 elektronische Komponenten. BSM180C12P2E202 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BSM180C12P2E202 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
BSM180C12P2E202 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BSM180C12P2E202
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
BSM180C12P2E202 IS A SIC SILICO
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
204A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 35.2mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
+22V, -6V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
20000pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1360W (Tc)
Betriebstemperatur :
175°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Supplier Device Package :
Module
Paket / fall :
Module
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