Infineon Technologies - BSP295L6327HTSA1

KEY Part #: K6409356

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    Artikelnummer:
    BSP295L6327HTSA1
    Hersteller:
    Infineon Technologies
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT-223.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - TRIACs, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - JFETs, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - Gleichrichter - Single and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
    Wettbewerbsvorteil:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BSP295L6327HTSA1 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : BSP295L6327HTSA1
    Hersteller : Infineon Technologies
    Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT-223
    Serie : SIPMOS®
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.8A (Ta)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 300 mOhm @ 1.8A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.8V @ 400µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 368pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 1.8W (Ta)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : PG-SOT223-4
    Paket / fall : TO-261-4, TO-261AA

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