ON Semiconductor - 2N7000G

KEY Part #: K6409276

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    Artikelnummer:
    2N7000G
    Hersteller:
    ON Semiconductor
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Zener - Single, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - JFETs and Dioden - Gleichrichter - Single ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor 2N7000G elektronische Komponenten. 2N7000G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu 2N7000G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    2N7000G Produkteigenschaften

    Artikelnummer : 2N7000G
    Hersteller : ON Semiconductor
    Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 200mA (Ta)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 Ohm @ 500mA, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
    Vgs (Max) : ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 60pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 350mW (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : TO-92-3
    Paket / fall : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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