HAT2279H-EL-E Preise (USD) [71063Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- HAT2279H-EL-E
- Hersteller:
- Renesas Electronics America
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 80V 30A 5LFPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Renesas Electronics America HAT2279H-EL-E elektronische Komponenten. HAT2279H-EL-E kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu HAT2279H-EL-E haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
HAT2279H-EL-E Produkteigenschaften
Artikelnummer :
HAT2279H-EL-E
Hersteller :
Renesas Electronics America
Beschreibung :
MOSFET N-CH 80V 30A 5LFPAK
Serie :
-
Teilestatus :
Not For New Designs
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
30A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
60nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3520pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
25W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
LFPAK
Paket / fall :
SC-100, SOT-669
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