DMN4800LSSQ-13 Preise (USD) [426881Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMN4800LSSQ-13
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SO.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Leistungstreibermodule, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - RF and Dioden - Zener - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated DMN4800LSSQ-13 elektronische Komponenten. DMN4800LSSQ-13 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu DMN4800LSSQ-13 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
DMN4800LSSQ-13 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMN4800LSSQ-13
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SO
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
8.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
14 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.6V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
8.7nC @ 5V
Vgs (Max) :
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
798pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.46W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-SO
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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