Infineon Technologies - IRF3515S

KEY Part #: K6414977

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    Artikelnummer:
    IRF3515S
    Hersteller:
    Infineon Technologies
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Thyristoren - TRIACs, Dioden - Zener - Single, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - SCRs - Module and Transistoren - IGBTs - Module ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRF3515S elektronische Komponenten. IRF3515S kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRF3515S haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRF3515S Produkteigenschaften

    Artikelnummer : IRF3515S
    Hersteller : Infineon Technologies
    Beschreibung : MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
    Serie : HEXFET®
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 150V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 41A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 25A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 107nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2260pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 200W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : D2PAK
    Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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