ON Semiconductor - HGTP12N60C3

KEY Part #: K6424338

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    Artikelnummer:
    HGTP12N60C3
    Hersteller:
    ON Semiconductor
    Detaillierte Beschreibung:
    IGBT 600V 24A 104W TO220AB.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - DIACs, SIDACs, Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Transistoren - Bipolar (BJT) - Single ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor HGTP12N60C3 elektronische Komponenten. HGTP12N60C3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu HGTP12N60C3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    HGTP12N60C3 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : HGTP12N60C3
    Hersteller : ON Semiconductor
    Beschreibung : IGBT 600V 24A 104W TO220AB
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    IGBT-Typ : -
    Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 600V
    Stromabnehmer (Ic) (max.) : 24A
    Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 96A
    Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2V @ 15V, 12A
    Leistung max : 104W
    Energie wechseln : 380µJ (on), 900µJ (off)
    Eingabetyp : Standard
    Gate Charge : 48nC
    Td (ein / aus) bei 25 ° C : -
    Testbedingung : -
    Reverse Recovery Time (trr) : -
    Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Paket / fall : TO-220-3
    Supplier Device Package : TO-220-3