DMN6069SFGQ-13 Preise (USD) [287376Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMN6069SFGQ-13
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Programmierbare Einheit and Dioden - Zener - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
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DMN6069SFGQ-13 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMN6069SFGQ-13
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
25nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1480pF @ 30V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.4W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PowerDI3333-8
Paket / fall :
8-PowerVDFN
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