FCP220N80 Preise (USD) [16910Stück Lager]
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- 800 pcs$1.80975
- Artikelnummer:
- FCP220N80
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 800V 23A.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Zener - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln and Dioden - RF ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FCP220N80 elektronische Komponenten. FCP220N80 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FCP220N80 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FCP220N80 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FCP220N80
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 800V 23A
Serie :
SuperFET® II
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
23A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
220 mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 2.3mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
105nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4560pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
278W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220-3
Paket / fall :
TO-220-3
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