Nexperia USA Inc. - PDTA123ETVL

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Artikelnummer:
PDTA123ETVL
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Detaillierte Beschreibung:
PDTA123ET/SOT23/TO-236AB.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PDTA123ETVL Produkteigenschaften

Artikelnummer : PDTA123ETVL
Hersteller : Nexperia USA Inc.
Beschreibung : PDTA123ET/SOT23/TO-236AB
Serie : -
Teilestatus : Active
Transistortyp : PNP - Pre-Biased
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : -
Widerstand - Basis (R1) : 2.2 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) : 2.2 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 30 @ 20mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic : 150mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 1µA
Frequenz - Übergang : -
Leistung max : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package : TO-236AB

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