Infineon Technologies - IDP18E120XKSA1

KEY Part #: K6440192

IDP18E120XKSA1 Preise (USD) [67569Stück Lager]

  • 1 pcs$0.57868
  • 500 pcs$0.40887

Artikelnummer:
IDP18E120XKSA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO220-2. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 18A
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln and Leistungstreibermodule ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IDP18E120XKSA1 elektronische Komponenten. IDP18E120XKSA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IDP18E120XKSA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IDP18E120XKSA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : IDP18E120XKSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO220-2
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 31A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 2.15V @ 18A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 195ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 100µA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-220-2
Supplier Device Package : PG-TO220-2-2
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C

Sie könnten auch interessiert sein an
  • IDB30E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A

  • IDB30E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263.

  • SE10FDHM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 200V ESD Prot SMF Rectifier

  • SE10FG-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 400V ESD Prot SMF Rectifier

  • SE10FGHM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 400V ESD Prot SMF Rectifier

  • SE10FJHM3/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 600V SMF Rectifier