Nexperia USA Inc. - PSMN8R0-80YLX

KEY Part #: K6420338

PSMN8R0-80YLX Preise (USD) [183784Stück Lager]

  • 1 pcs$0.20226
  • 1,500 pcs$0.20125

Artikelnummer:
PSMN8R0-80YLX
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Thyristoren - TRIACs, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Zener - Single, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - JFETs and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Nexperia USA Inc. PSMN8R0-80YLX elektronische Komponenten. PSMN8R0-80YLX kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu PSMN8R0-80YLX haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN8R0-80YLX Produkteigenschaften

Artikelnummer : PSMN8R0-80YLX
Hersteller : Nexperia USA Inc.
Beschreibung : MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56
Serie : TrenchMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 104nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 8167pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 238W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : LFPAK56, Power-SO8
Paket / fall : SC-100, SOT-669

Sie könnten auch interessiert sein an