IXYX100N65B3D1 Preise (USD) [6401Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXYX100N65B3D1
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 650V 188A 1150W PLUS247.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - IGBTs - Arrays, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Transistoren - Bipolar (BJT) - RF ...
- Wettbewerbsvorteil:
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IXYX100N65B3D1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXYX100N65B3D1
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
IGBT 650V 188A 1150W PLUS247
Serie :
GenX3™, XPT™
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
PT
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
650V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
225A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
460A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
1.85V @ 15V, 70A
Leistung max :
830W
Energie wechseln :
1.27mJ (on), 1.37mJ (off)
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
168nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
29ns/150ns
Testbedingung :
400V, 50A, 3 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
156ns
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
TO-247-3
Supplier Device Package :
PLUS247™-3
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