HUFA76413DK8T-F085 Preise (USD) [120208Stück Lager]
- 1 pcs$0.30770
- Artikelnummer:
- HUFA76413DK8T-F085
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - RF, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Transistoren - IGBTs - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
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HUFA76413DK8T-F085 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
HUFA76413DK8T-F085
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO
Serie :
Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
Teilestatus :
Not For New Designs
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
5.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
49 mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
23nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
620pF @ 25V
Leistung max :
2.5W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SOIC
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