IXTY4N60P Preise (USD) [55012Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXTY4N60P
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH TO-252.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Transistoren - FETs, MOSFETs - HF ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXTY4N60P elektronische Komponenten. IXTY4N60P kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXTY4N60P haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXTY4N60P Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXTY4N60P
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH TO-252
Serie :
PolarHV™
Teilestatus :
Last Time Buy
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
13nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
635pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
89W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-252
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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