Vishay Semiconductor Diodes Division - 1N6484HE3/97

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Artikelnummer:
1N6484HE3/97
Hersteller:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1000 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
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ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N6484HE3/97 Produkteigenschaften

Artikelnummer : 1N6484HE3/97
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
Serie : SUPERECTIFIER®
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1000V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 1A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 1000V
Kapazität @ Vr, F : 8pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : DO-213AB, MELF (Glass)
Supplier Device Package : DO-213AB
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

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