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- Artikelnummer:
- IRFBC40
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - JFETs, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Transistoren - Programmierbare Einheit ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix IRFBC40 elektronische Komponenten. IRFBC40 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRFBC40 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IRFBC40 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRFBC40
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.2 Ohm @ 3.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
60nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1300pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
125W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220AB
Paket / fall :
TO-220-3
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