ZXMN3G32DN8TA Preise (USD) [193225Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- ZXMN3G32DN8TA
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Dioden - Gleichrichter - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated ZXMN3G32DN8TA elektronische Komponenten. ZXMN3G32DN8TA kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu ZXMN3G32DN8TA haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
ZXMN3G32DN8TA Produkteigenschaften
Artikelnummer :
ZXMN3G32DN8TA
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
28 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
10.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
472pF @ 15V
Leistung max :
1.8W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SO
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