Nexperia USA Inc. - PMXB43UNEZ

KEY Part #: K6416480

PMXB43UNEZ Preise (USD) [545027Stück Lager]

  • 1 pcs$0.06786

Artikelnummer:
PMXB43UNEZ
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 3.2A 3DFN.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - JFETs, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF and Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Nexperia USA Inc. PMXB43UNEZ elektronische Komponenten. PMXB43UNEZ kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu PMXB43UNEZ haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PMXB43UNEZ Produkteigenschaften

Artikelnummer : PMXB43UNEZ
Hersteller : Nexperia USA Inc.
Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 3.2A 3DFN
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 54 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 551pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : DFN1010D-3
Paket / fall : 3-XDFN Exposed Pad