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ON Semiconductor - NVMFD5489NLT3G

KEY Part #: K6523729

NVMFD5489NLT3G Preise (USD) [4068Stück Lager]

  • 5,000 pcs$0.28016
Artikelnummer:
NVMFD5489NLT3G
Hersteller:
ON Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Programmierbare Einheit, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - JFETs and Thyristoren - TRIACs ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor NVMFD5489NLT3G elektronische Komponenten. NVMFD5489NLT3G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu NVMFD5489NLT3G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMFD5489NLT3G Produkteigenschaften

Artikelnummer : NVMFD5489NLT3G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 12.4nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 330pF @ 25V
Leistung max : 3W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-PowerTDFN
Supplier Device Package : 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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