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ON Semiconductor - NDS352P

KEY Part #: K6415065

[12538Stück Lager]

    Artikelnummer:
    NDS352P
    Hersteller:
    ON Semiconductor
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET P-CH 20V 0.85A SSOT3.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - Zener - Single, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - JFETs, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor NDS352P elektronische Komponenten. NDS352P kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu NDS352P haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NDS352P Produkteigenschaften

    Artikelnummer : NDS352P
    Hersteller : ON Semiconductor
    Beschreibung : MOSFET P-CH 20V 0.85A SSOT3
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : P-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 850mA (Ta)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 350 mOhm @ 1A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 4nC @ 5V
    Vgs (Max) : ±12V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 125pF @ 10V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 500mW (Ta)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : SuperSOT-3
    Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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