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- Artikelnummer:
- SIDC53D120H6X1SA3
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Zener - Single, Leistungstreibermodule, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays and Thyristoren - Thyristoren ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies SIDC53D120H6X1SA3 elektronische Komponenten. SIDC53D120H6X1SA3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SIDC53D120H6X1SA3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SIDC53D120H6X1SA3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SIDC53D120H6X1SA3
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER
Serie :
-
Teilestatus :
Discontinued at Digi-Key
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
1200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
100A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1.6V @ 100A
Geschwindigkeit :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
27µA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F :
-
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
Die
Supplier Device Package :
Sawn on foil
Betriebstemperatur - Übergang :
-55°C ~ 150°C
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