ON Semiconductor - FDS6982AS_G

KEY Part #: K6523536

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    Artikelnummer:
    FDS6982AS_G
    Hersteller:
    ON Semiconductor
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET 2 N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SO.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann and Transistoren - IGBTs - Module ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDS6982AS_G elektronische Komponenten. FDS6982AS_G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDS6982AS_G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDS6982AS_G Produkteigenschaften

    Artikelnummer : FDS6982AS_G
    Hersteller : ON Semiconductor
    Beschreibung : MOSFET 2 N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SO
    Serie : PowerTrench®, SyncFET™
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
    FET-Funktion : Standard
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6.3A, 8.6A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 28 mOhm @ 6.3A, 10V, 13.5 mOhm @ 8.6A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 9nC @ 5V, 16nC @ 5V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 610pF @ 10V, 1250pF @ 10V
    Leistung max : 900mW
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Supplier Device Package : 8-SO

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