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Microsemi Corporation - APT34M120J

KEY Part #: K6392618

APT34M120J Preise (USD) [1689Stück Lager]

  • 1 pcs$25.62512
  • 10 pcs$24.11986
  • 25 pcs$22.61238
  • 100 pcs$21.55702
Artikelnummer:
APT34M120J
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - Zener - Single, Thyristoren - Thyristoren and Transistoren - IGBTs - Single ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APT34M120J elektronische Komponenten. APT34M120J kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APT34M120J haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT34M120J Produkteigenschaften

Artikelnummer : APT34M120J
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 300 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 560nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 18200pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 960W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Supplier Device Package : SOT-227
Paket / fall : SOT-227-4, miniBLOC

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