IXYS - IXTA110N055P

KEY Part #: K6417517

IXTA110N055P Preise (USD) [33519Stück Lager]

  • 1 pcs$1.35927
  • 50 pcs$1.35251

Artikelnummer:
IXTA110N055P
Hersteller:
IXYS
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 55V 110A TO-263.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Zener - Single, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Dioden - RF ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf IXYS IXTA110N055P elektronische Komponenten. IXTA110N055P kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXTA110N055P haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTA110N055P Produkteigenschaften

Artikelnummer : IXTA110N055P
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 55V 110A TO-263
Serie : PolarHT™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 110A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13.5 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 76nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2210pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 390W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-263 (IXTA)
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB