DMN3012LDG-13 Preise (USD) [126375Stück Lager]
- 1 pcs$0.29268
- Artikelnummer:
- DMN3012LDG-13
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET BVDSS 25V-30V POWERDI333.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Programmierbare Einheit and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated DMN3012LDG-13 elektronische Komponenten. DMN3012LDG-13 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu DMN3012LDG-13 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
DMN3012LDG-13 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMN3012LDG-13
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET BVDSS 25V-30V POWERDI333
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
10A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12 mOhm @ 15A, 5V, 6 mOhm @ 15A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
Leistung max :
2.2W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-PowerLDFN
Supplier Device Package :
PowerDI3333-8
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