ON Semiconductor - NVMS5P02R2G

KEY Part #: K6393805

NVMS5P02R2G Preise (USD) [218211Stück Lager]

  • 1 pcs$0.16950
  • 2,500 pcs$0.15409

Artikelnummer:
NVMS5P02R2G
Hersteller:
ON Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SOIC.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Single, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - IGBTs - Arrays and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor NVMS5P02R2G elektronische Komponenten. NVMS5P02R2G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu NVMS5P02R2G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMS5P02R2G Produkteigenschaften

Artikelnummer : NVMS5P02R2G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SOIC
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.95A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 33 mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.25V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 4.5V
Vgs (Max) : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1900pF @ 16V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : -
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-SOIC
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)