Artikelnummer :
NVMS5P02R2G
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SOIC
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3.95A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
33 mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.25V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
35nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1900pF @ 16V
Verlustleistung (max.) :
-
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-SOIC
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)