IPI100N04S4H2AKSA1 Preise (USD) [1628Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPI100N04S4H2AKSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3-1.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Single, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays and Leistungstreibermodule ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPI100N04S4H2AKSA1 elektronische Komponenten. IPI100N04S4H2AKSA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPI100N04S4H2AKSA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPI100N04S4H2AKSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPI100N04S4H2AKSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3-1
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 70µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
90nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
7180pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
115W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO262-3
Paket / fall :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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