Artikelnummer :
TK5A65W,S5X
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET N-CH 650V 5.2A TO-220SIS
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
5.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.2 Ohm @ 2.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 170µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
10.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
380pF @ 300V
Verlustleistung (max.) :
30W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220SIS
Paket / fall :
TO-220-3 Full Pack