Vishay Semiconductor Diodes Division - RGL34J-E3/98

KEY Part #: K6453140

RGL34J-E3/98 Preise (USD) [686193Stück Lager]

  • 1 pcs$0.05688
  • 2,500 pcs$0.05660
  • 5,000 pcs$0.05317
  • 12,500 pcs$0.04974
  • 25,000 pcs$0.04574

Artikelnummer:
RGL34J-E3/98
Hersteller:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - RF, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Programmierbare Einheit, Thyristoren - TRIACs and Dioden - Gleichrichter - Single ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Vishay Semiconductor Diodes Division RGL34J-E3/98 elektronische Komponenten. RGL34J-E3/98 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu RGL34J-E3/98 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RGL34J-E3/98 Produkteigenschaften

Artikelnummer : RGL34J-E3/98
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213
Serie : SUPERECTIFIER®
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 500mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 500mA
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 250ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F : 4pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : DO-213AA (Glass)
Supplier Device Package : DO-213AA (GL34)
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

Sie könnten auch interessiert sein an
  • C3D10065E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 650V 32A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 650V, 10A

  • VS-10WQ045FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 10A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • VS-8EWF12S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252. Rectifiers 8A 1200V Single Die

  • VS-50WQ06FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • RGL34J-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM

  • GL34A-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA.