Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-8EWF12S-M3

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Artikelnummer:
VS-8EWF12S-M3
Hersteller:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252. Rectifiers 8A 1200V Single Die
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
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Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-8EWF12S-M3 Produkteigenschaften

Artikelnummer : VS-8EWF12S-M3
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 8A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 8A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 270ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 100µA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package : TO-252, (D-Pak)
Betriebstemperatur - Übergang : -40°C ~ 150°C

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