IXFX32N80Q3 Preise (USD) [4329Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXFX32N80Q3
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXFX32N80Q3 elektronische Komponenten. IXFX32N80Q3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFX32N80Q3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXFX32N80Q3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXFX32N80Q3
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247
Serie :
HiPerFET™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
32A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
270 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
6.5V @ 4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
140nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
6940pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1000W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PLUS247™-3
Paket / fall :
TO-247-3
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