Infineon Technologies - FP50R12KT4GBOSA1

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FP50R12KT4GBOSA1 Preise (USD) [863Stück Lager]

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Artikelnummer:
FP50R12KT4GBOSA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
IGBT MODULE VCES 600V 50A.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - RF, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Gleichrichter - Single and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FP50R12KT4GBOSA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : FP50R12KT4GBOSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : IGBT MODULE VCES 600V 50A
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench Field Stop
Aufbau : Three Phase Inverter
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 50A
Leistung max : 280W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 50A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 2.8nF @ 25V
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : Yes
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Module
Supplier Device Package : Module

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