Infineon Technologies - DF200R12W1H3FB11BOMA1

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DF200R12W1H3FB11BOMA1 Preise (USD) [1128Stück Lager]

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Artikelnummer:
DF200R12W1H3FB11BOMA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - RF, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Programmierbare Einheit and Thyristoren - Thyristoren ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DF200R12W1H3FB11BOMA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : DF200R12W1H3FB11BOMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1
Serie : EasyPACK™
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench Field Stop
Aufbau : Three Phase Inverter
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 30A
Leistung max : 20mW
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 1.45V @ 15V, 30A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 6.15nF @ 25V
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : Yes
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Module
Supplier Device Package : Module