GA50JT12-247 Preise (USD) [896Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- GA50JT12-247
- Hersteller:
- GeneSiC Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- TRANS SJT 1.2KV 50A.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Transistoren - Programmierbare Einheit ...
- Wettbewerbsvorteil:
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GA50JT12-247 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
GA50JT12-247
Hersteller :
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung :
TRANS SJT 1.2KV 50A
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
-
Technologie :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 50A
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
7209pF @ 800V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
583W (Tc)
Betriebstemperatur :
175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-247AB
Paket / fall :
TO-247-3
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