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- Artikelnummer:
- GP2M010A065H
- Hersteller:
- Global Power Technologies Group
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Leistungstreibermodule, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays ...
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GP2M010A065H Produkteigenschaften
Artikelnummer :
GP2M010A065H
Hersteller :
Global Power Technologies Group
Beschreibung :
MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
9.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
820 mOhm @ 4.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
36nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1670pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
198W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220
Paket / fall :
TO-220-3
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