Beschreibung :
MOSFET N-CH 250V 20A TO-263
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
250V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
20A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
95 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1600pF @ 25V
Verlustleistung (max.) :
40W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-263-3
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB