FDD1600N10ALZ Preise (USD) [278064Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FDD1600N10ALZ
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N CH 100V 6.8A TO252-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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FDD1600N10ALZ Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDD1600N10ALZ
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N CH 100V 6.8A TO252-3
Serie :
PowerTrench®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
160 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.8V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
3.61nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
225pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
14.9W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
DPAK
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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