SUM90330E-GE3 Preise (USD) [97995Stück Lager]
- 1 pcs$0.39901
- Artikelnummer:
- SUM90330E-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 200V 35.1A D2PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - TRIACs, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Zener - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays and Dioden - RF ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SUM90330E-GE3 elektronische Komponenten. SUM90330E-GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SUM90330E-GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SUM90330E-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SUM90330E-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 200V 35.1A D2PAK
Serie :
ThunderFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
35.1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
37.5 mOhm @ 12.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
32nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1172pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
125W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-263 (D²Pak)
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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