BSM50GD120DN2E3226BOSA1 Preise (USD) [695Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- BSM50GD120DN2E3226BOSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Zener - Single, Dioden - Zener - Arrays, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - IGBTs - Module and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies BSM50GD120DN2E3226BOSA1 elektronische Komponenten. BSM50GD120DN2E3226BOSA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BSM50GD120DN2E3226BOSA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
BSM50GD120DN2E3226BOSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BSM50GD120DN2E3226BOSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
Serie :
-
Teilestatus :
Not For New Designs
IGBT-Typ :
-
Aufbau :
Three Phase Inverter
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
50A
Leistung max :
350W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
3V @ 15V, 50A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce :
3.3nF @ 25V
Eingang :
Standard
NTC-Thermistor :
No
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
Module
Supplier Device Package :
Module
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