FDMS8670S Preise (USD) [132332Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FDMS8670S
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 20A POWER56.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDMS8670S elektronische Komponenten. FDMS8670S kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDMS8670S haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FDMS8670S Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDMS8670S
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 20A POWER56
Serie :
PowerTrench®, SyncFET™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
20A (Ta), 42A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
73nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4000pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.5W (Ta), 78W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-PQFN (5x6)
Paket / fall :
8-PowerTDFN
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