IXFR21N100Q Preise (USD) [5495Stück Lager]
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- 30 pcs$8.67236
- Artikelnummer:
- IXFR21N100Q
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 1KV 18A ISOPLUS247.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - RF, Transistoren - IGBTs - Single, Thyristoren - SCRs - Module, Thyristoren - TRIACs, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Dioden - Brückengleichrichter ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXFR21N100Q elektronische Komponenten. IXFR21N100Q kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFR21N100Q haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXFR21N100Q Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXFR21N100Q
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 1KV 18A ISOPLUS247
Serie :
HiPerFET™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
500 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
170nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
5900pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
350W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
ISOPLUS247™
Paket / fall :
ISOPLUS247™
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