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- Artikelnummer:
- TSM052N06PQ56 RLG
- Hersteller:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 100A 8PDFN.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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TSM052N06PQ56 RLG Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TSM052N06PQ56 RLG
Hersteller :
Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 100A 8PDFN
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
50nC @ 10V
Vgs (Max) :
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3686pF @ 30V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
83W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-PDFN (5x6)
Paket / fall :
8-PowerTDFN
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