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- Artikelnummer:
- SSM6N7002BFU(T5L,F
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF and Transistoren - Programmierbare Einheit ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002BFU(T5L,F elektronische Komponenten. SSM6N7002BFU(T5L,F kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SSM6N7002BFU(T5L,F haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SSM6N7002BFU(T5L,F Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SSM6N7002BFU(T5L,F
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.1 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
17pF @ 25V
Leistung max :
300mW
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package :
US6
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