Microsemi Corporation - APTGT200A120G

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APTGT200A120G Preise (USD) [766Stück Lager]

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Artikelnummer:
APTGT200A120G
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
POWER MODULE IGBT 1200V 200A SP6.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGT200A120G Produkteigenschaften

Artikelnummer : APTGT200A120G
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : POWER MODULE IGBT 1200V 200A SP6
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench Field Stop
Aufbau : Half Bridge
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 280A
Leistung max : 890W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 200A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 350µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 14nF @ 25V
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : No
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : SP6
Supplier Device Package : SP6

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