TJ30S06M3L(T6L1,NQ Preise (USD) [146815Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- TJ30S06M3L(T6L1,NQ
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 60V 30A DPAK-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Gleichrichter - Single, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Dioden - Brückengleichrichter ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Toshiba Semiconductor and Storage TJ30S06M3L(T6L1,NQ elektronische Komponenten. TJ30S06M3L(T6L1,NQ kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu TJ30S06M3L(T6L1,NQ haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
TJ30S06M3L(T6L1,NQ Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TJ30S06M3L(T6L1,NQ
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET P-CH 60V 30A DPAK-3
Serie :
U-MOSVI
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
30A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
21.8 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
80nC @ 10V
Vgs (Max) :
+10V, -20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3950pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
68W (Tc)
Betriebstemperatur :
175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
DPAK+
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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