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Microsemi Corporation - APTGT75DA120T1G

KEY Part #: K6533999

[647Stück Lager]

    Artikelnummer:
    APTGT75DA120T1G
    Hersteller:
    Microsemi Corporation
    Detaillierte Beschreibung:
    IGBT 1200V 110A 357W SP1.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Leistungstreibermodule, Transistoren - JFETs, Thyristoren - Thyristoren, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - Zener - Arrays and Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APTGT75DA120T1G elektronische Komponenten. APTGT75DA120T1G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APTGT75DA120T1G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APTGT75DA120T1G Produkteigenschaften

    Artikelnummer : APTGT75DA120T1G
    Hersteller : Microsemi Corporation
    Beschreibung : IGBT 1200V 110A 357W SP1
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    IGBT-Typ : Trench Field Stop
    Aufbau : Single
    Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
    Stromabnehmer (Ic) (max.) : 110A
    Leistung max : 357W
    Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 75A
    Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 250µA
    Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 5.34nF @ 25V
    Eingang : Standard
    NTC-Thermistor : Yes
    Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Chassis Mount
    Paket / fall : SP1
    Supplier Device Package : SP1

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